近日一篇〈臺(tái)積電真的超越英特爾？大客戶這樣吐槽……〉討論臺(tái)積電、三星的技術(shù)節(jié)點(diǎn)數(shù)字恐怕做過美化的問題引起不小的關(guān)注，這樣的問題其實(shí)在先前即為半導(dǎo)體業(yè)界所持續(xù)論戰(zhàn)，并在蘋果A9芯片門事件，iPhone6sA9處理器分由臺(tái)積電、三星代工時(shí)討論來到最高峰，以實(shí)際情況而言，臺(tái)積電、三星制程技術(shù)真的跟英特爾差很大？
半導(dǎo)體三雄納米制程到底在爭什么？
臺(tái)積電、三星與英特爾的先進(jìn)制程競賽打得火熱，在目前14/16納米之后，制程戰(zhàn)一路來到了10納米。這些數(shù)字背后的意義其實(shí)指的是「線寬」，精確一點(diǎn)而言，就是金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體（MOSFET）的閘極長度（GateLength）。
場效電晶體用閘極來控制電流的通過與否，以代表0或1的數(shù)位訊號(hào)，也是整個(gè)結(jié)構(gòu)中最細(xì)微、復(fù)雜的關(guān)鍵，當(dāng)閘極可以縮小，電晶體體積也能跟著縮小，一來切換速度得以提升，每個(gè)芯片能塞入更多電晶體或縮小芯片體積；再者，當(dāng)閘極長度愈小，閘極下方電子通道愈窄，之間的轉(zhuǎn)換效率提升、能量的耗損也能降低，收減少耗電量之效，但當(dāng)閘極太薄，源極與汲極距離愈靠近，電子也可能不小心偷溜過去產(chǎn)生漏電流，加以也有推動(dòng)力不足的問題，這也是為何制程微縮難度愈來愈高；臺(tái)積、英特爾與三星群雄間爭的你死我活的原因。
三者14/16制程節(jié)點(diǎn)數(shù)字都灌水？
包含半導(dǎo)體芯片和系統(tǒng)還原工程與分析廠商ChipWorks、Techinsights與半導(dǎo)體分析廠商LinleyGroup都對(duì)臺(tái)積電、三星、英特爾16/14納米做過比較。
從LinleyGroup與Techinsights實(shí)際分析的結(jié)果，包含英特爾、臺(tái)積電與三星在14/16納米實(shí)際線寬其實(shí)都沒達(dá)到其所稱的制程數(shù)字，根據(jù)兩者的數(shù)據(jù)，臺(tái)積電16納米制程實(shí)際測(cè)量最小線寬是33納米，16納米FinFETPlus線寬則為30
納米，三星第一代14納米是30納米，14納米FinFET是20納米，英特爾14納米制程在兩家機(jī)構(gòu)測(cè)量結(jié)果分別為20納米跟24納米。
調(diào)研TheLinleyGroup創(chuàng)辦人暨首席分析師LinleyGwennap，在2016年3月接受半導(dǎo)體專業(yè)期刊EETimes采訪時(shí)，也透露了晶圓代工廠間制程的魔幻數(shù)字秘密，Gwennap指出，傳統(tǒng)表示制程節(jié)點(diǎn)的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是看閘極長度，但在行銷的努力下，節(jié)點(diǎn)名稱不再與實(shí)際閘極長度相符合，不過，差距也不會(huì)太大，Gwennap即言，三星的14納米約略等于英特爾的20納米。Gwennap認(rèn)為，臺(tái)積電與三星目前的制程節(jié)點(diǎn)仍落后于英特爾，以三星而言，14納米制程稱作17納米會(huì)較佳，而臺(tái)積電16制程其實(shí)差不多是19納米。
但美國知名財(cái)經(jīng)部落格TheMotleyFool技術(shù)專欄作家AshrafEassa從電子顯微鏡圖來看，認(rèn)為英特爾、三星甚至臺(tái)積電在三者14/16納米制程差距或許不大。AshrafEassa對(duì)比英特爾14與22納米，以及三星14納米的電子顯微鏡圖，其指出，英特爾14納米側(cè)壁的斜率要比22納米垂直，根據(jù)官方的說法，這能使英特爾的散熱鰭片（fin）更高更瘦，以提升效能。
而三星14納米制程電子顯微鏡圖相較起來，和英特爾14納米制程還比較相近，加以AshrafEassa用臺(tái)積電宣稱16納米FinFETPlus能比三星最佳的14納米技術(shù)在相同功率下，效能能比三星提升10%來推測(cè)，臺(tái)積電16納米FinFETPlus的晶體管結(jié)構(gòu)應(yīng)與三星相差不遠(yuǎn)，甚至鰭片（fin）會(huì)更加細(xì)長。
