北京時間10月21日上午，英特爾宣布將在中國大連投資55億美元，將其在當(dāng)?shù)氐墓S轉(zhuǎn)型為存儲芯片制造工廠，專注于非易失性存儲芯片（ nonvolatile memory chips）。
英特爾大連工廠雖然創(chuàng)辦于2010年，但是在制造工藝上卻落后于其它英特爾工廠兩代以上。
今年的IDF大會上，英特爾中重點推介了3D XPoint技術(shù)，這種基于電阻非易失性內(nèi)存存儲方案（統(tǒng)一了DRAM內(nèi)存和SSD），理論速度可以比如今的固態(tài)硬盤快千倍。
英特爾表示，大連工廠預(yù)計將從2016年下半年開始生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。
英特爾稱，未來3至5年最多將投資35億美元，隨后還將增至55億美元。英特爾的絕大多數(shù)營收都來自處理器，但該公司已經(jīng)與美光科技組建了一家存儲芯片合資公司，專門生產(chǎn)移動和計算設(shè)備中使用量越來越大的NAND閃存芯片。
通過將存儲介質(zhì)從磁盤變成半導(dǎo)體，英特爾希望加快數(shù)據(jù)獲取速度，并加快筆記本電腦、服務(wù)器和臺式機(jī)的響應(yīng)速度。
英特爾最近一個季度表示，存儲芯片將幫助該公司抵消PC處理器的疲軟需求。
美光科技稱，該公司可能使用升級后的工廠供應(yīng)的存儲芯片，今后還有可能加大這一項目的參與力度。但該公司尚未做出正式?jīng)Q定。
截至周一收盤，英格爾股價今年以來累計下跌7.4%，美光科技股價累計下跌11%。
01月07日 18:14
