說起GaN充電器，很多人應(yīng)該都不會陌生。不久前，一款與小米10一起直播發(fā)布的65W GaN充電器，一經(jīng)發(fā)布，迅速引發(fā)了市場對GaN的關(guān)注。隨后，多只GaN（氮化鎵）充電器概念股漲停。
2020年，GaN爆發(fā)的元年
根據(jù)小米介紹，小米GaN充電器Type-C 65W內(nèi)置智能識別芯片，可以兼容市面上主流智能手機(jī)、Type-C接口的筆記本電腦及其它電子設(shè)備。功能這么強(qiáng)大的充電器，體積卻只有同樣功率的傳統(tǒng)充電器的一半，具備小巧、高效、發(fā)熱低等優(yōu)點(diǎn)。讓小米充電器具備如此多優(yōu)點(diǎn)的“功臣”，就是氮化鎵材料。
不過，據(jù)了解，這并不是手機(jī)行業(yè)上的第一款GaN充電器。去年10月，OPPO 發(fā)布Reno Ace，標(biāo)配65W超級閃充GaN充電器。據(jù)悉，這也是第三代半導(dǎo)體材料–GaN（氮化鎵）首次應(yīng)用于手機(jī)原裝快充充電器，OPPO也是全球首家在手機(jī)充電器中導(dǎo)入氮化鎵技術(shù)的廠商。同時也宣告了氮化鎵技術(shù)正式進(jìn)入手機(jī)原裝充電器市場。
目前，除了OPPO、小米外，華為、三星、蘋果等均在計(jì)劃推出采用GaN材料的充電器。值得一提的是，在上個月的美國CES展會上，參展的氮化鎵充電器數(shù)量就已經(jīng)多達(dá)66款，涵蓋了18W、30W、65W、100W等多個功率段，以及全新品類超級擴(kuò)展塢，全面滿足手機(jī)、平板、筆電的充電需求。這也從側(cè)面反映出，氮化鎵快充技術(shù)走向成熟，被廣大廠商認(rèn)可。
分析人士指出，隨著GaN充電器被消費(fèi)者熟知，產(chǎn)品快速放量帶來成本下降，GaN充電器有望迅速成為后續(xù)手機(jī)品牌的盒內(nèi)標(biāo)配，可能成為繼TWS耳機(jī)后消費(fèi)電子領(lǐng)域的又一個爆款。
有報(bào)道稱，2020年，將成為GaN爆發(fā)的元年。據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，2018年GaN功率器件國內(nèi)市場規(guī)模約為1.2億元，尚處于應(yīng)用產(chǎn)品發(fā)展初期，但未來市場空間有望持續(xù)拓展，在市場樂觀預(yù)期下，2023年GaN功率電子市場規(guī)模有望達(dá)到4.24億美元。
GaN（氮化鎵）是什么？
很多人可能對GaN（氮化鎵）不太了解，GaN（氮化鎵）到底是什么呢？
GaN 本質(zhì)上是一種新型半導(dǎo)體材料。它的中文名為氮化鎵，英文名稱是 Gallium nitride，分子式是 GaN；它是氮和鎵的化合物，也是一種直接能隙（Direct Bandgap）的半導(dǎo)體，也是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料。
氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料(即化合物半導(dǎo)體)的典型代表。相較于第一代半導(dǎo)體材料硅、鍺，第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵、磷化銦等，第三代半導(dǎo)體材料(包括氮化鎵、碳化硅、氧化鋅等)能夠承受更高的電壓、適合更高頻率，可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，并具有耐高溫、耐腐蝕、抗輻射、禁帶寬度大等特性，在高頻、高功率的電力電子、微波射頻等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
氮化鎵技術(shù)趨于成熟，并且在USB PD快充領(lǐng)域的應(yīng)用已經(jīng)非常普遍，氮化鎵技術(shù)讓充電器的功率越做越大，體積卻越做越小，保證了產(chǎn)品的便攜性。
氮化鎵技術(shù)背后的三大主要供貨廠家
提起氮化鎵技術(shù)，就不得不提其背后的功率芯片技術(shù)及三大主要供貨廠家。這三家廠家分別是Power Integration , Inc.、納微半導(dǎo)體（Navitas）、英諾賽科（Innoscience）。
1、Power Integrations, Inc. ，總部位于美國硅谷, 是一家擁有三十多年的歷史，專注于高壓電源管理及控制的高性能電子元器件及電源方案的供應(yīng)商，其產(chǎn)品品質(zhì)及品牌在全球擁有很高的認(rèn)可度。PI推出的集成電路和二極管為包括移動設(shè)備、電視機(jī)、PC、家電、智能電表和LED燈在內(nèi)的大量電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)出小巧緊湊的高能效AC-DC電源。
2019年9月，OPPO發(fā)布的65W 基于SuperVOOC 2.0技術(shù)的氮化鎵快充，是品牌手機(jī)廠商首次將氮化鎵快充作為手機(jī)標(biāo)配，其利用的也正是PI的PowiGaN系列的氮化鎵芯片。彼時PI在氮化鎵PowiGaN功率芯片的累計(jì)發(fā)貨量就已超過一百萬顆，是目前累計(jì)發(fā)貨量最大的廠家。
2、納微半導(dǎo)體（Navitas）擁有強(qiáng)大的功率半導(dǎo)體行業(yè)專家團(tuán)隊(duì)，專有的 AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件將最高性能的GaNFET與邏輯和模擬電路單片集成，可為移動、消費(fèi)、企業(yè)和新能源市場提供更小、更高能效和更低成本的電源。
此次小米發(fā)布的氮化鎵快充產(chǎn)品就是采用了納微半導(dǎo)體的功率芯片產(chǎn)品。
3、英諾賽科（Innoscience）作為唯一上榜的國產(chǎn)硅基氮化鎵廠商，在當(dāng)前中美貿(mào)易戰(zhàn)的大背景下獲得了許多廠商的關(guān)注，業(yè)界對其發(fā)展?jié)摿κ挚春?。公司在珠海和蘇州建有兩個8英寸硅基氮化鎵芯片研發(fā)生產(chǎn)基地，產(chǎn)品線覆蓋30V-650V的全系列氮化鎵芯片，自有失效分析和可靠性實(shí)驗(yàn)室為產(chǎn)品品質(zhì)保駕護(hù)航，目前在快充領(lǐng)域已有超過10家企業(yè)利用其高壓氮化鎵芯片成功開發(fā)出快充產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。英諾賽科雖然起步較晚，但是在商業(yè)模式（IDM），工藝先進(jìn)性，產(chǎn)品覆蓋面，產(chǎn)能布局等核心方面都具有極大的優(yōu)勢，未來發(fā)展十分值得期待。
國內(nèi)哪些上市公司受益？
當(dāng)前市場普遍預(yù)期，受到消費(fèi)者廣泛關(guān)注的GaN充電器將在后續(xù)手機(jī)品牌發(fā)布會上繼續(xù)登臺亮相，伴隨GaN在消費(fèi)電子行業(yè)中的普及，GaN芯片的設(shè)計(jì)、制造成本將快速下降，進(jìn)一步刺激市場應(yīng)用普及。
快充產(chǎn)業(yè)鏈的上游為快充方案設(shè)計(jì)，以及GaN、電容器、連接器及線束、充電接口等電子原材料或電子元器件，中游為充電器模塊、快充芯片、電源管理芯片、電芯和電芯PACK，下游則為各類充電應(yīng)用。
GaN代工：三安光電（600703.SH）；
電源驅(qū)動芯片：圣邦股份(300661.SZ)、富滿電子(300671.SZ)；
協(xié)議芯片：瑞芯微(603893.SH)、全志科技(300458.SZ)；
平面變壓器、共模電感：順絡(luò)電子(002138.SZ)；
TypeC連接器：立訊精密(002475.SZ)、長盈精密(300115.SZ)、電連技術(shù)(300679.SZ)；
充電器代工：領(lǐng)益智造(002600.SZ)；
射頻芯片設(shè)計(jì)：卓勝微(300782.SZ)；
毫米波T/R芯片模組：和而泰(002402.SZ)；
功率半導(dǎo)體：捷捷微電(300623.SZ)、士蘭微(600460.SH)等；
半導(dǎo)體設(shè)備：北方華創(chuàng)(002371.SZ)；
12寸大硅片：中環(huán)股份(002129.SZ)；
硅片衍生設(shè)備：晶盛機(jī)電(300316.SZ)。
以上相關(guān)數(shù)據(jù)僅供參考，不構(gòu)成投資依據(jù)。
01月07日 18:14
