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合肥長鑫19nm DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能增加

快科技 2019-11-14 成為作者
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半導體芯片長鑫存儲內(nèi)存芯片分類：行業(yè)資訊
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最新報道稱，合肥長鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的產(chǎn)能，目標是月產(chǎn)4萬片晶圓。
 　　存儲器產(chǎn)品占到了我國每年進口半導體芯片中的大頭，其中DRAM內(nèi)存芯片占比最高，有20%以上。
 
　　最新報道稱，合肥長鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的產(chǎn)能，目標是月產(chǎn)4萬片晶圓。
 
　　在9月份開幕的201 9世界制造業(yè)大會上，合肥長鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長鑫內(nèi)存芯片自主制造項目投產(chǎn)，將生產(chǎn)國產(chǎn)第一代10nm級8Gb DDR4內(nèi)存。
 
　　長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明介紹，投產(chǎn)的8Gb DDR4通過了多個國內(nèi)外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。
 
　　據(jù)悉，長鑫的DRAM技術(shù)主要來自已經(jīng)破產(chǎn)的奇夢達，包括將后者一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)收歸囊中。
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