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國(guó)產(chǎn)內(nèi)存芯片正加速發(fā)展 何時(shí)才能徹底打破壟斷?

隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入的加大,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器行業(yè)也將迎來(lái)加速發(fā)展,雖然在短期內(nèi)難以撼動(dòng)三星、SK海士力以及鎂光三足鼎立的局面,但未來(lái)憑借國(guó)內(nèi)龐大的內(nèi)需市場(chǎng)、優(yōu)秀的開(kāi)發(fā)能力,以及具國(guó)際水準(zhǔn)的產(chǎn)能,必將在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擁有一席之地。
   目前在全球的消費(fèi)電子市場(chǎng)上,存儲(chǔ)器是名副其實(shí)的電子行業(yè)“原材料”。如果再將存儲(chǔ)器細(xì)分,又可分為DRAM、NAND Flash與Nor Flash三種。
 
  投資存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域1500億美元,我國(guó)幾乎表明了自給自足的決心。目前國(guó)內(nèi)已有三家企業(yè)已經(jīng)進(jìn)入這一領(lǐng)域,合肥長(zhǎng)鑫和長(zhǎng)江存儲(chǔ)分別在DRAM和NAND FLASH技術(shù)工藝的擴(kuò)展和發(fā)展。福建晉華曾經(jīng)是第三家,但由于美國(guó)商務(wù)部對(duì)其DRAM設(shè)備、器件的禁售,導(dǎo)致其暫陷入困境。
 
  紫光集團(tuán)是中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)芯片的領(lǐng)頭羊,成立長(zhǎng)江存儲(chǔ),研發(fā)、生存NAND閃存,還有做DDR內(nèi)存的紫光國(guó)微等子公司。
 
  根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)和合肥長(zhǎng)鑫的產(chǎn)品發(fā)展路線(xiàn)圖。到2020年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接跳躍到128層3D NAND的目標(biāo),并消除從64層到128層的過(guò)程,且繞開(kāi)主要NAND制造商生產(chǎn)的96層閃存芯片。到2021年,分別在NAND FLASH和DRAM的產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)度上取得突破,后者將完成17nm的研發(fā)。
 
  存儲(chǔ)器領(lǐng)域經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展,由全球六家公司控制,分別為三星,東芝,美光,西部數(shù)據(jù),SK海力士和英特爾。DRAM市場(chǎng)更加集中,只有三家公司生產(chǎn)幾乎所有的DRAM芯片。它們分別是三星,SK海力士和美光。
 
  反觀國(guó)內(nèi),長(zhǎng)江存儲(chǔ)著力于NAND FLASH的生產(chǎn),合肥長(zhǎng)鑫致力于DRAM的生產(chǎn)。
 
  除武漢和合肥外,我國(guó)另外三個(gè)城市也正在建設(shè)存儲(chǔ)器工廠。同時(shí),晉江也可能會(huì)開(kāi)始DRAM生產(chǎn),但是目前由于法律問(wèn)題,參與其中的公司福建晉華目前處于困境。
 
  隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入的加大,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器行業(yè)也將迎來(lái)加速發(fā)展,雖然在短期內(nèi)難以撼動(dòng)三星、SK海士力以及鎂光三足鼎立的局面,但未來(lái)憑借國(guó)內(nèi)龐大的內(nèi)需市場(chǎng)、優(yōu)秀的開(kāi)發(fā)能力,以及具國(guó)際水準(zhǔn)的產(chǎn)能,必將在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擁有一席之地。
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