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中國光刻技術與國外差距15-20年

快科技 2019-09-17 成為作者
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半導體產(chǎn)業(yè)光刻技術分類：行業(yè)資訊
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在2019中國集成電路設計大會上，中科院微電子所的院士劉明也談到了國內(nèi)集成電路方面的一些技術基礎，尤其是光刻方面，指出了在光刻技術方面的進展與不足。
 　　國內(nèi)發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的決心已經(jīng)無需多言，目前國內(nèi)最薄弱的領域還是芯片制造，而在這方面我們又缺少尖端的半導體生產(chǎn)設備，尤其是光刻技術，這是半導體芯片生產(chǎn)中的核心工藝。
 
　　在2019中國集成電路設計大會上，中科院微電子所的院士劉明也談到了國內(nèi)集成電路方面的一些技術基礎，尤其是光刻方面，指出了在光刻技術方面的進展與不足。
 
　　根據(jù)劉明院士所說，我國在EUV光源、多層膜、掩膜、光刻膠、超光滑拋光技術等方面取得了一些研究進展，但是總體來說，國內(nèi)的光刻技術與國外技術差距依然有15到20年，是整個集成電路中差距最大的環(huán)節(jié)。
 
　　此前我們報道過，目前荷蘭ASML公司的EUV光刻機已經(jīng)可以制造7nm及以下工藝，但是國內(nèi)的光刻機只能做到90nm工藝級別，多數(shù)是用在低端生產(chǎn)線上，或者是面板生產(chǎn)線上，28nm及以下的工藝依然需要進口ASML的光刻機才能解決。
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