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中國(guó)首款!長(zhǎng)江存儲(chǔ)啟動(dòng)64層3D NAND閃存量產(chǎn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度。
   9月2日消息,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)在IC China 2019前夕宣布,公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
 
  作為中國(guó)首款64層3D NAND閃存,該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團(tuán)展臺(tái)。
 
  長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元,這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后,Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu),Xtacking可帶來(lái)更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
 
  長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華表示:“通過(guò)將Xtacking架構(gòu)引入批量生產(chǎn),能夠顯著提升產(chǎn)品性能,縮短開(kāi)發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期,從而推動(dòng)高速大容量存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的快速發(fā)展。”程衛(wèi)華還提到,“隨著5G,人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時(shí)代的到來(lái),閃存市場(chǎng)的需求將持續(xù)增長(zhǎng)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)健康發(fā)展注入新動(dòng)力。”
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