三星電子有限公司（Samsung Electronics）今日宣布，該公司在業(yè)界首次開發(fā)了第三代10納米級(jí)（1z-nm）8GB超高性能和高功效的DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。
自開始大規(guī)模生產(chǎn)第二代10納米級(jí)8GB DDR4以來，短短16個(gè)月內(nèi)，三星電子在不使用Extreme Ultra-Violet（極紫外線光刻技術(shù)工藝，一種更復(fù)雜的芯片制造技術(shù)）處理的情況下開發(fā)10納米級(jí)（1z-nm）8GB第三代DDR4，意味著三星進(jìn)一步提高了DRAM的擴(kuò)展極限，在這一領(lǐng)域取得了領(lǐng)先地位。
隨著10納米級(jí)成為業(yè)界最小的內(nèi)存處理節(jié)點(diǎn)，三星現(xiàn)在已經(jīng)準(zhǔn)備好用其新的10納米級(jí)（1z-nm）DDR4-DRAM來滿足日益增長的市場需求，其生產(chǎn)效率比以前的1Y納米級(jí)版本高20%以上。
據(jù)悉，10納米級(jí)（1z-nm）8GB第三代DDR4的批量生產(chǎn)將于今年下半年開始，以適應(yīng)下一代企業(yè)服務(wù)器和有望在2020年推出的高端PC。
三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁李榮培（Jung Bae Lee）表示：“我們致力于突破技術(shù)領(lǐng)域的最大挑戰(zhàn)，推動(dòng)實(shí)現(xiàn)更大的創(chuàng)新。很高興能再次為下一代DRAM的穩(wěn)定生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)，確保性能和能源效率的最大化。隨著我們推出10納米級(jí)（1z-nm）的DRAM系列產(chǎn)品，三星將繼續(xù)致力于支持其全球客戶部署尖端系統(tǒng)，并推動(dòng)高端內(nèi)存市場的增長。”
三星開發(fā)的10納米級(jí)（1z-nm）DRAM為全球IT加快朝著下一代DRAM接口（如DDR5、LPDDR5和GDDR6）過渡鋪平了道路，這些接口將推動(dòng)未來的數(shù)字創(chuàng)新。接下來那些具有更高容量和性能的10納米級(jí)（1z-nm）產(chǎn)品將增強(qiáng)三星在市場的業(yè)務(wù)競爭力，鞏固其在高端DRAM市場應(yīng)用的領(lǐng)導(dǎo)地位，包括服務(wù)器、圖形和移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域。
據(jù)報(bào)道，在與一家CPU制造商就8GB DDR4模塊進(jìn)行全面驗(yàn)證后，三星將積極與全球客戶合作，向其提供一系列即將面世的內(nèi)存解決方案。為了滿足目前的行業(yè)需求，三星計(jì)劃在其Pyeongtaek網(wǎng)站增加主要內(nèi)存生產(chǎn)的比重，同時(shí)與全球IT客戶合作，以滿足市場對(duì)最先進(jìn)DRAM產(chǎn)品日益增長的需求。
01月07日 18:14
