集微網(wǎng)消息（文/王凌鋒）現(xiàn)如今，晶圓代工行業(yè)可分為兩檔，臺積電一檔，其他公司一檔。在臺積電積極發(fā)展采用EUV技術(shù)的第2代7納米制程后，傳聞5納米制程將于2019年4月試產(chǎn)。臺積電憑借技術(shù)與龐大資本支出所鑄成的“氮氣加速系統(tǒng)”，讓其競爭對手望塵莫及。
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第一代7nm讓臺積電正式領(lǐng)跑
今年上半年，純代工領(lǐng)域的訂單量上，臺積電占了全球56%。隨著AMD、蘋果A13的青睞，臺積電有望將優(yōu)勢擴(kuò)大到60%。而對手三星、GF、聯(lián)電、中芯國際都不到10%。臺積電2018年的收入也大幅攀升，遠(yuǎn)超去年的1萬億新臺幣。
臺積電最早是從2微米、3微米開始做，如今在10nm之后，最新7nm工藝也已量產(chǎn)出貨，蘋果新推出的A12仿生處理器就是由臺積電獨家代工制造。與之前的10nm FinFET制程相比，7nm FinFET實現(xiàn)1.6倍的邏輯密度，20%的速度提升，以及40%的功耗減少。在7nm技術(shù)路線的選擇上，臺積電務(wù)實地在第一代放棄EUV（極紫外光刻），同時上馬整合扇出封裝技術(shù)提升可靠度，最終使得自己的進(jìn)度事實超越三星，從而贏下包括華為、AMD、蘋果等一眾關(guān)鍵客戶。
EUV加持，第二代7nm又甩開老對手三星一個山頭
半導(dǎo)體先進(jìn)制程進(jìn)到10納米之下，微縮技術(shù)更加復(fù)雜，牽扯設(shè)計已經(jīng)不止電路線設(shè)計，還有光刻、晶體管架構(gòu)與材料等等，也讓EUV極紫外光光刻成為關(guān)鍵技術(shù)。過去半導(dǎo)體生產(chǎn)使用波長193納米的深紫外（DUV）曝光，但制程發(fā)展到130納米時便有行業(yè)人士提出，需用極紫外（EUV）光刻。
EUV成為7納米的關(guān)鍵技術(shù)，也是臺積電、三星兩大廠商技術(shù)競逐的節(jié)點。材料供應(yīng)商分析指出，導(dǎo)入EUV制程可以減少30個掩膜，至少能省下一個月的制程時間，進(jìn)一步探討EUV的技術(shù)脈絡(luò)，為了要制造出EUV的波長電漿，必須將錫融化之后，用每秒約5萬顆頻率滴在真空腔體中，然后用激光以每秒10萬次發(fā)射頻率將液態(tài)錫蒸發(fā)成電漿，以產(chǎn)生EUV所需要的波長，因此激光所需要的功率以及轟擊錫珠精準(zhǔn)度，就成為EUV制程技術(shù)的“bottleneck”。
在第二代7nm工藝(CLNFF+/N7+)，臺積電將首次應(yīng)用EUV，不過僅限四個非關(guān)鍵層，以降低風(fēng)險、加速投產(chǎn)，也借此熟練掌握ASML的新式光刻機(jī)Twinscan NXE。相較于第一代7nm DUV，第二代7nm EUV具體改進(jìn)程度公布得并不多，臺積電只說能將晶體管密度提升20％，同等頻率下功耗可降低6-12％。
面對咄咄逼人的臺積電，三星也在全力以赴，正在開發(fā)自己的InFO封裝技術(shù)，并宣稱將在下半年量產(chǎn)7nm EUV。不過，在良品率和質(zhì)量上，三星7nm EUV工藝仍存在風(fēng)險。如今，臺積電在7nm EUV工藝上成功完成流片，證明了新工藝新技術(shù)的可靠和成熟，為后續(xù)量產(chǎn)打下了堅實基礎(chǔ)，同時也進(jìn)一步拉開了與競爭對手三星之間的差距。
全程EUV！5nm將于明年四月風(fēng)險試產(chǎn)
根據(jù)《EETimes》報導(dǎo)指出，就在臺積電積極發(fā)展的第2代采用EUV技術(shù)的7納米制程開始進(jìn)行投片同時，更新一代全程采用EUV技術(shù)的5納米制程也將于2019年的第2季進(jìn)行風(fēng)險試產(chǎn)。而且，臺積電也已經(jīng)與包括Cadence在內(nèi)的4家合作伙伴達(dá)成協(xié)議，共同支持后段芯片設(shè)計的線上服務(wù)工作，以借由云端的服務(wù)的機(jī)制，縮短芯片設(shè)計時間，并且進(jìn)一步擴(kuò)大芯片設(shè)計工具的范圍。
報導(dǎo)指出，相較于第二代使用EUV技術(shù)的7納米制程可以處理4片掩膜來說，臺積電的5納米制程將可一次處理14片掩膜，降低生產(chǎn)掩膜的成本。另外，臺積電還以Arm A72核心進(jìn)行生產(chǎn)測試，5納米制程所生產(chǎn)的芯片，將達(dá)到14.7%~17.7%的速度提升，以及減少1.8%~1.86%的芯片面積。號稱可比初代7nm工藝晶體管密度提升80％，從而將芯片面積縮小45％，還可以同功耗頻率提升15％，同頻功耗降低20％。
臺積電指出，雖然制程技術(shù)節(jié)點的提升，能為芯片中增加更多的晶體管，但是卻也帶來生產(chǎn)成本的大幅提升。其中，5納米制程中包括人工與知識產(chǎn)權(quán)的授權(quán)費用，其加起來的總合成本將高達(dá)2到2.5億美元，比7納米制程的1.5億美元大幅成長，而這也會是未來發(fā)展半導(dǎo)體制程，門檻越來越高的原因。
在聯(lián)電與格芯相繼擱置7納米及其以下先進(jìn)制程的研發(fā)之后，目前在先進(jìn)制程研發(fā)的路上僅剩下臺積電、三星、英特爾等少數(shù)公司。只是，英特爾在10納米制程節(jié)點上遭遇瓶頸，預(yù)計要到2019年底才會推出的情況下，在先進(jìn)制程的這條路上，也只有三星能看見臺積電的尾燈了。
至此，臺積電在晶圓代工行業(yè)的老大哥地位坐實，而唯一有競爭力的三星想要超車也難乎其難。
01月07日 18:14
