2017年以來旭日大數(shù)據(jù)持續(xù)發(fā)布手機(jī)內(nèi)存芯片市場價(jià)格監(jiān)測報(bào)告，得到了市場的極大關(guān)注。為了更加直觀反映手機(jī)內(nèi)存的價(jià)格變動(dòng)情況，旭日大數(shù)據(jù)將持續(xù)發(fā)布手機(jī)內(nèi)存價(jià)格漲跌幅排行榜，敬請(qǐng)關(guān)注！
2017年4月，手機(jī)內(nèi)存芯片的價(jià)格環(huán)比有漲有跌。一體式手機(jī)內(nèi)存芯片eMCP價(jià)格整體都在上漲，但上漲幅度比較溫和，不同容量之間的漲幅差距不大，其中1GB+8GB漲幅最高，為4%；4GB+32GB甚至輕微下降0.5%。DRAM和Flash的價(jià)格環(huán)比增長幅度差異較大，3GB的DRAM環(huán)比漲幅高達(dá)19.5%，而6GB的DRAM環(huán)比下降1.6%；64GB的Flash價(jià)格環(huán)比上升9.5%，128GB的Flash價(jià)格下降7%。旗艦機(jī)型以4GB的DRAM和64GB的Flash為內(nèi)存芯片組合的終端廠商4月面臨較大的成本壓力。
注：手機(jī)內(nèi)存分為一體式和分立式。一體式內(nèi)存芯片把DRAM和Flash兩顆芯片合二為一，以eMCP為主流；分立式內(nèi)存芯片由DRAM和Flash組成，需DRAM和Flash兩顆芯片，目前高通驍龍835、驍龍821、驍龍820、驍龍652、海思麒麟9系列等采用的是分立式內(nèi)存芯片。
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01月07日 18:14
