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7nm工藝進(jìn)程之戰(zhàn):Intel落后三星、臺(tái)積電

2017年有11家半導(dǎo)體廠資本支出預(yù)算超過10億美元,占全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總合的78%。而2013年,全球僅有8家半導(dǎo)體廠資本支出預(yù)算超過10億美元水平。
  半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)ICinsights于2017年3月3日公告中指出,2017年有11家半導(dǎo)體廠資本支出預(yù)算超過10億美元,占全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總合的78%。而2013年,全球僅有8家半導(dǎo)體廠資本支出預(yù)算超過10億美元水平。前十大廠有兩家今年資本支出成長在兩成以上,分別是英特爾的25% 與格邏方德的33%。

  英特爾的做法

  為了進(jìn)一步發(fā)展生產(chǎn)制程,英特爾將在2017年建立一座7納米nm制程的試驗(yàn)工廠。該實(shí)驗(yàn)工廠將會(huì)測試7nm晶片生產(chǎn)制程。不過,雖然英特爾并未提及會(huì)在何時(shí)開始這種制程晶片的量產(chǎn),外界認(rèn)為至少在未來2到3年內(nèi)不會(huì)實(shí)現(xiàn)。

  英特爾表示,7nm制程將為晶片帶來更大的設(shè)計(jì)變化,使其體積變得更小,也更為節(jié)能。英特爾計(jì)劃使用奇特的III-V材料(比如氮化鎵)來進(jìn)行晶片生產(chǎn),在提高性能速度的同時(shí)也達(dá)到更長續(xù)航能力。同時(shí),他們將會(huì)在生產(chǎn)中引入極紫外線(EUV)工具,來協(xié)助進(jìn)行更加精細(xì)的功能蝕刻過程。

  按照英特爾原來的“工藝、架構(gòu)、優(yōu)化” 等三步驟來進(jìn)行規(guī)劃,7納米制程的處理器原本最快應(yīng)在2020年出樣,2021年發(fā)貨。事實(shí)上,根據(jù)業(yè)內(nèi)推測,這些7nm的處理器不太可能在6到7年為問世。

  格羅方德的做法

  格羅方德去年因產(chǎn)能閑置,資本支出大減62%。格邏方德已決定跳過10nm,直接挑戰(zhàn)7納米制程,預(yù)料今年絕多數(shù)資本支出將用于采購新設(shè)備與技術(shù)研發(fā)。

  此外,格羅方德在發(fā)展7納米的同時(shí)把注意力放到了實(shí)際應(yīng)用上:22nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層覆硅)制程生產(chǎn)線,產(chǎn)品將能廣泛運(yùn)用于行動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等領(lǐng)域。

  在物聯(lián)網(wǎng)浪潮下,F(xiàn)D-SOI技術(shù)也日漸受到重視。與FinFET相比,F(xiàn)D-SOI基板雖然較貴,但在掩模數(shù)量與制造工序比FinFET要少一些,降低部分光罩成本也縮減了制造時(shí)間,在技術(shù)上比FinFET更適合類比/混合訊號(hào)以及RF,F(xiàn)D-SOI還具備了低功耗的優(yōu)勢,因此,不少人認(rèn)為FD-SOI將是物聯(lián)網(wǎng)較佳選擇,或能與FinFET互補(bǔ)。

  該企業(yè)2015 年推出的22nm FD-SOI平臺(tái)后,在去年9月進(jìn)一步發(fā)表新的12nm FD-SOI技術(shù)。新一代12納米FD-SOI產(chǎn)品,估計(jì)2018年底將于德國Dresden Fab 1投產(chǎn),2019年將22納米FD-SOI生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移至成都新廠。

  臺(tái)積電和三星的做法:

  在2017年ISSCC(International Solid-State Circuits Conference,國際固態(tài)電路研討會(huì))上,臺(tái)積電5篇論文獲選(美國臺(tái)積電1篇),2篇論文為類比電路領(lǐng)域,記憶體電路設(shè)計(jì)則有3篇。

  業(yè)界認(rèn)為,臺(tái)積電將領(lǐng)先業(yè)界在大會(huì)上發(fā)表7納米FinFET技術(shù)。揭示迄今最小位元數(shù)SRAM在7nm FinFET的應(yīng)用,驗(yàn)證0.027μm2 256Mbit SRAM測試晶片在7納米制程下,能大幅提升手機(jī)、平板電腦中央處理晶片運(yùn)算速度,同時(shí)滿足低功率需求。

  臺(tái)積電、三星通常以SRAM、DRAM來練兵,先從記憶體下手,當(dāng)良品率提升到一定程度再導(dǎo)入邏輯產(chǎn)品。臺(tái)積電先前預(yù)估10納米年底量產(chǎn)、7nm最快2018年第一季生產(chǎn)。

  三星在10月初搶先臺(tái)積電宣布10納米量產(chǎn),市場近期傳出臺(tái)積電7納米最快在明年2017就可試產(chǎn),4月接單。三星在7nm就引進(jìn)極紫外光微影設(shè)備,并預(yù)計(jì)2017年年底7nm量產(chǎn)。

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