臺(tái)積電3Q15營(yíng)收2,125E，+3.4QoQ，12吋wafer約當(dāng)出貨量2,216K，-1%QoQ，毛利率（GM）從上季48.5%微降到48.2%，營(yíng)業(yè)利益率（OPM）從2Q15季的37.5%微降到3Q15的36.9%，營(yíng)業(yè)利益（OP）從1Q15季866E降到2Q15的771E。GM和OPM都在公司財(cái)測(cè)范圍內(nèi)。稅后凈利753E，EPS2.9元。
根據(jù)公司揭露的資料推估，3Q15總產(chǎn)能約2,300K12″約當(dāng)晶圓，出貨量產(chǎn)能利用率（Utilization;UTR）約95%，低于1Q15的102%和2Q15的98%，推估BlendedASP估計(jì)US$2,935，和上季持平。3Q15制程別產(chǎn)品組合和上季比較變動(dòng)不大，16nm+20nm共21%（估計(jì)16nm2%，20nm19%）、28nm27%，28nm以下制程比率合計(jì)48%。
公司guidance4Q15營(yíng)收2,010~2,040E，GM47.5~49.5%，OP36.5~38.5%。假設(shè)4Q15產(chǎn)能2,368K，出貨量2,068K，產(chǎn)能利用率將降到86%，ASP假設(shè)持平，則營(yíng)收約2,030E，-4~5%QoQ。產(chǎn)能利用率降了9%，毛利率還能維持住，表示臺(tái)積電4Q15的良率，尤其是強(qiáng)勁rampup的16nm制程，應(yīng)該有非常顯著的進(jìn)步，才能抵銷產(chǎn)能利用率下滑的負(fù)面影響。
結(jié)構(gòu)獲利能力持續(xù)進(jìn)步
臺(tái)積電近年的結(jié)構(gòu)獲利能力（structuralprofitability）持續(xù)進(jìn)步，結(jié)構(gòu)獲利能力由兩個(gè)部份組成：
標(biāo)準(zhǔn)毛利率（standardgrossmargin，SGM）：特定產(chǎn)能力用率之下的毛利率。
標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)能利用率（standardutilization）：臺(tái)積電企圖達(dá)到或超過(guò)的產(chǎn)能利用率。
過(guò)去幾年，臺(tái)積電的SGM穩(wěn)定進(jìn)步，換句話說(shuō)，同樣一個(gè)產(chǎn)能利用率，每年的GM都更高，而標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)能利用率，也一直維持得很高，因此結(jié)構(gòu)獲利能力也持續(xù)進(jìn)步。結(jié)構(gòu)獲利能力和整體的長(zhǎng)期CAPEX產(chǎn)能投資正確與否、或景氣突然熱絡(luò)或低落所造成的產(chǎn)能利率用過(guò)高或過(guò)低無(wú)關(guān)，代表的是日常營(yíng)運(yùn)能力、公司內(nèi)部的能力和外部大環(huán)境的變化、以及公司對(duì)外部環(huán)境的預(yù)測(cè)能力，比較無(wú)關(guān)。臺(tái)積電的結(jié)構(gòu)獲利能力的進(jìn)步，來(lái)自于以下3方面的努力，讓成本持續(xù)下降。
工廠營(yíng)運(yùn)管理持續(xù)創(chuàng)新，帶來(lái)的生產(chǎn)力和效率提升，也讓設(shè)備更有效的被使用。
先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)張，非常謹(jǐn)慎小心。雖然這幾年還是有大量CAPEX擴(kuò)充產(chǎn)能，因臺(tái)積電和大客戶已成伙伴關(guān)系，新制程產(chǎn)能投資，都能配合客戶的產(chǎn)品規(guī)劃和產(chǎn)能需求，不像后進(jìn)者，只能先投資制程產(chǎn)能，再來(lái)爭(zhēng)取客戶的secondsource。
這幾年每一代新制程的良率提升速度穩(wěn)定進(jìn)步。新制程量產(chǎn)后一、兩年，毛利率往往低于公司平均數(shù)，因此，每代新制程的良率提升速度，對(duì)全公司的整體毛利率影響很大。
從財(cái)報(bào)上來(lái)觀察結(jié)構(gòu)獲利能力的變化。我們將3Q15營(yíng)業(yè)成本（COGS）1,102E分成兩塊，「折舊攤提」=561E和「其他營(yíng)業(yè)成本」=540E，半導(dǎo)體公司大部份的折舊發(fā)生在COGS的廠房機(jī)器設(shè)備，少部份發(fā)生在OPEX辦公設(shè)備，這里簡(jiǎn)化都計(jì)入COGS，將折舊攤提/wafer出貨量，=每片wafer折舊成本US$795，約略等于2Q15的US$791，（折舊/wafer）影響因素包括：1.總折舊攤提金額、2.產(chǎn)能利用率、3.產(chǎn)能的制程組合、4.出貨的制程組合。
通常采用越先進(jìn)制程生產(chǎn)的晶圓，因?yàn)樵O(shè)備越昂貴，以及cycletime越長(zhǎng)，每片wafer分擔(dān)的折舊金額越高，這也是3Q14和4Q14當(dāng)20nm比率大幅上升的時(shí)候，（折舊/wafer）暴增到US$800以上的原因，隨后1Q15~3Q1520nm比率維持在15~20%，總折舊攤提金額降低，（折舊/wafer）下降到US$769、US$791和US$795，預(yù)料未來(lái)一年，隨著更多20nm和16nm設(shè)備投產(chǎn)認(rèn)列折舊，以及16nm制程產(chǎn)品cycletime長(zhǎng)達(dá)3個(gè)月，（折舊/wafer）未來(lái)接近或超過(guò)US$800將成為常態(tài)，一旦不景氣產(chǎn)能利用率跌破90%時(shí)，（折舊/wafer）更可能高于US$850，也就是說(shuō)，先進(jìn)制程雖然ASP高，分?jǐn)傇O(shè)備折舊也高，加上cycletime長(zhǎng)，metal和poly層數(shù)更多，耗用的材料成本也更多，量產(chǎn)初期幾季，良率還不夠好的時(shí)候，往往GM反而低于成熟制程。
將3Q15（其他營(yíng)業(yè)成本/wafer出貨量），=每片wafer其他營(yíng)業(yè)成本US$765，比1Q15的US$792低，而比2Q15的US$740高，這個(gè)數(shù)字，最能看出一家半導(dǎo)體公司的真正工廠效率和經(jīng)營(yíng)績(jī)效，有點(diǎn)類似EBITDAmargin的觀念，但直接算成perwafer的數(shù)字，更為實(shí)際，其他營(yíng)業(yè)成本，主要是制程中消耗的原材料、設(shè)備/設(shè)施/無(wú)塵室維持、線上工程師和作業(yè)員等，和會(huì)計(jì)上的變動(dòng)成本接近，但有些項(xiàng)目，理論上可變動(dòng)，實(shí)務(wù)上不太能變動(dòng)，例如直接人工、工廠維持等，還是要算在（其他營(yíng)業(yè)成本/wafer），影響因素包括：
生產(chǎn)效率，例如各廠區(qū)、各機(jī)臺(tái)和產(chǎn)品的最適當(dāng)分配、各機(jī)臺(tái)的普遍嫁動(dòng)率、產(chǎn)品總良率和各單站機(jī)臺(tái)良率、工廠layout等，尤其是foundry廠，有幾百個(gè)不同制程的產(chǎn)品在各工廠里面跑，要最佳化的安排這些多種少量的產(chǎn)品，最能顯現(xiàn)出臺(tái)積電這種專業(yè)foundry和SamsungLSI這種IDMfoundry管理效率的差距，這一、兩年臺(tái)積電開(kāi)始將一些productlifecycle長(zhǎng)的客戶產(chǎn)品，自行在淡季時(shí)增加投片量，降低生產(chǎn)高低波動(dòng)，也是提高生產(chǎn)效率的一個(gè)做法；
制程組合和cycletime，越先進(jìn)制程耗用的材料越多，有些材料耗用和先進(jìn)制程成正比（例如光阻劑），有些材料和制程比較無(wú)關(guān)，但先進(jìn)制程layer數(shù)多，多做幾layer本來(lái)就會(huì)用更多材料、更多人力時(shí)數(shù)、更多廠房設(shè)施維持成本（氣體水電環(huán)保等）。
良率。
產(chǎn)能利用率的影響不若（折舊/wafer）大，但仍有些許影響。依據(jù)臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)給的4Q15guidance，計(jì)算出4Q15的（其他營(yíng)業(yè)成本/wafer）將下降到US$715，在16nm制程放量、產(chǎn)能利用率下降的情況下，這個(gè)數(shù)字還能下降，表示16nm、20nm甚至主流的28nm良率，應(yīng)有明顯進(jìn)步，帶來(lái)相當(dāng)?shù)腸ostdown效果。
半導(dǎo)體景氣調(diào)整，2016年溫和成長(zhǎng)
2015年全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)趨于緩和，終端產(chǎn)品需求不振，全球Smarphone約成長(zhǎng)10%、PC衰退6~7%、TabletPC衰退15%，半導(dǎo)體市場(chǎng)，年初展望樂(lè)觀，下單積極，2Q15中期之后，逐漸發(fā)現(xiàn)景氣有變數(shù)，下單轉(zhuǎn)趨保守，但對(duì)于年中旺季還有期待，2H15forecast不敢砍太多，到3Q15中期確定今年景氣不佳，庫(kù)存偏高，廠商紛紛大幅下修9~12月的訂單，嚴(yán)格控制庫(kù)存。終端產(chǎn)品需求不振，讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)庫(kù)存調(diào)整時(shí)間拉長(zhǎng)，2015年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)大概只有零成長(zhǎng)，預(yù)料到2015年底或1Q16季中，才有機(jī)會(huì)消化完畢，而于2Q16恢復(fù)比較健康的成長(zhǎng)軌道，預(yù)估2016年半導(dǎo)體成長(zhǎng)3%。
2016~2017年，除了總體經(jīng)濟(jì)之外，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)動(dòng)力，來(lái)自于以下幾個(gè)方面：
高階手機(jī)的半導(dǎo)體含量（siliconcontent）繼續(xù)成長(zhǎng)：手機(jī)市場(chǎng)明顯M型化，高階手機(jī)這幾年，性能快速提升，CPU/GPUperformance已經(jīng)追上低階PC、MobileDRAM和NANDFlash容量接近PCDRAM和SSD容量，其他如CMOSsensor、basebandModem、LCD解析度都讓半導(dǎo)體含量持續(xù)成長(zhǎng)，不但半導(dǎo)體含量增加，基于performance、power和cost考量，高階手機(jī)對(duì)先進(jìn)制程的需求還是十分強(qiáng)烈，這個(gè)趨勢(shì)對(duì)先進(jìn)制程技術(shù)、產(chǎn)能和服務(wù)都相對(duì)領(lǐng)先的臺(tái)積電有利。
物聯(lián)網(wǎng)（InternetofThings）逐漸成型：最先看到有量應(yīng)用領(lǐng)用，例如汽車、無(wú)人機(jī)、機(jī)器人、穿戴式裝置等，雖然這些產(chǎn)品用到的制程多是成熟制程，半導(dǎo)體含量也不高，但是數(shù)量龐大，當(dāng)聯(lián)網(wǎng)的東西巨量成長(zhǎng)之后，背后所需要的運(yùn)算和儲(chǔ)存能量也將成長(zhǎng)，包含資料中心、伺服器、網(wǎng)路處理器、CPU/GPU、影像處理等，這些則需要半導(dǎo)體先進(jìn)制程。
主導(dǎo)新應(yīng)用的系統(tǒng)公司：以往，foundry的客戶最大是FablessIC設(shè)計(jì)公司、其次是IDM、系統(tǒng)公司（sysemhouses）非常少，只有Microsoft、Sony、Cisco等少數(shù)幾家。但Apple自從涉入AP處理器之后變成foundry超大客戶之后，未來(lái)將看到越來(lái)越多大型系統(tǒng)公司，或者因?yàn)橄胝瓶?a target="_blank">供應(yīng)鏈、或者因?yàn)槭忻嫔系臉?biāo)準(zhǔn)IC（ASSP）不符合本身的應(yīng)用需求，像Apple一樣，開(kāi)始成立IC設(shè)計(jì)部門，設(shè)計(jì)自身產(chǎn)品需要的ASIC，例如華為/海思集團(tuán)、LG集團(tuán)，在foundry的投片量越來(lái)越大。
20nm和16nm制程良率大幅改善，2016年16FFC推進(jìn)主流市場(chǎng)
臺(tái)積電的先進(jìn)制程近年來(lái)僅落后英特爾，但領(lǐng)先IBM聯(lián)盟的SamsungLSI和GlobalFoundries。英特爾早在22nm制程技術(shù)，就開(kāi)始使用3DTri-gatetransistors，14nmTri-gate也在2014就量產(chǎn)。臺(tái)積電和Samsung都是到14/16nm才導(dǎo)入3DFinFETtransistors，并且到2015年才量產(chǎn)。
SamsungLSI這兩年靠AppleAP大訂單練兵，在32/28nm制程逐漸趕上臺(tái)積電，當(dāng)時(shí)臺(tái)積電繼28nm取得技術(shù)和市場(chǎng)的主導(dǎo)地位后，接下來(lái)發(fā)展的20nm，更幾乎是壟斷地位，SamsungLSI自認(rèn)20nm已經(jīng)來(lái)不及，加上判斷20nm還是用2Dplanartransistors，performance/cost不會(huì)很好，制程技術(shù)生命周期不長(zhǎng)，22/20nm僅有研發(fā)和自制in-houseAP，數(shù)量不多，沒(méi)有外接foundry訂單，而把主力直攻14nmFinFET，原本外界質(zhì)疑沒(méi)有經(jīng)過(guò)22/20nm的大量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，直接發(fā)展14nm本來(lái)就很困難，又采用新的3DFinFETtransistors，應(yīng)該不會(huì)很順利，沒(méi)想到Samsung真的做到了，首度在14nmFinFET制程領(lǐng)先臺(tái)積電于1Q15量產(chǎn)，率先生產(chǎn)自家ExynoxAP，接著生產(chǎn)AppleA9和QualcommSnapdragon820，使得臺(tái)積電公開(kāi)承認(rèn)2015年14/16nm制程foundry市場(chǎng)市占率將首度落后競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
臺(tái)積電20nm（20SoC）經(jīng)驗(yàn)和良率持續(xù)進(jìn)步，在2015全年扮演重要的業(yè)績(jī)貢獻(xiàn)角色，但2016年因?yàn)橹饕?0nm業(yè)務(wù)將轉(zhuǎn)進(jìn)到16nm，20nm將衰退，雖然不會(huì)消失，仍將是一個(gè)長(zhǎng)期生存的制程技術(shù)（long-livednode），只是因?yàn)椴糠菪枨筠D(zhuǎn)移到16nm，臺(tái)積電的部份20nm制程設(shè)備也將轉(zhuǎn)為用于16nmFinFET制程產(chǎn)品。
臺(tái)積電的16nmFinFET+（16FF+）制程，策略上是將16nm視為20nm的延伸，使用和20nm相同的「metalbackendprocess」，雖然scaling等規(guī)格上比不上Samsung的14nm，制作的晶片diesize較大，但因?yàn)槭茄永m(xù)20nm技術(shù)，不僅可以充分利用20nm的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)縮短學(xué)習(xí)曲線，而且90%以上的設(shè)備可以共用。臺(tái)積電的16nmFinFET+制程產(chǎn)品已經(jīng)于2Q15正式量產(chǎn)，7月開(kāi)始小量出貨，3Q15逐漸增大的投產(chǎn)量，將于4Q15大量出貨貢獻(xiàn)營(yíng)收，研判4Q15時(shí)16nmFinFET+的良率應(yīng)可大幅拉升。新產(chǎn)品（AppleiPhone6s/6s+用的A9AP）量產(chǎn)動(dòng)能可持續(xù)到1H16。臺(tái)積電預(yù)測(cè)2016年全年的16nm制程營(yíng)收，將比2015年的20nm營(yíng)收，還要大很多，并將于2016年重新取得主要地位的市占率（14/16nm）。至于20nm臺(tái)積電仍是唯一大量產(chǎn)的foundry。如果用16nm+20nm一起看，無(wú)論是2015或2016年，臺(tái)積電都是最大的主要供應(yīng)商。
臺(tái)積電正在開(kāi)發(fā)新版16nmFinFETC（16FFC）制程，C的意思是compact，在performance、power（降低漏電）和area（diesize）都比16nmFinFET+改進(jìn)，并能在0.6V以下執(zhí)行，透過(guò)制程簡(jiǎn)化讓cycletime縮短。即使性能大幅改進(jìn)，原先基于16FF+制程的晶片設(shè)計(jì)，還是可以很容易的轉(zhuǎn)換成16FFC制程，16FFC的市場(chǎng)定位為mainstream和ultralowpower，意味在performance的改進(jìn)，沒(méi)有power和cost那么多。
01月07日 18:14
