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半導(dǎo)體市場(chǎng)升溫 國(guó)內(nèi)設(shè)備未來(lái)的替代空間廣闊

2015年,前五大供應(yīng)商占市場(chǎng)份額的76.8%,前十大供應(yīng)商占據(jù)了93.6%的市場(chǎng)份額,市場(chǎng)集中度高。值得注意的是,十大廠商中多數(shù)為美國(guó)和日本企業(yè),國(guó)內(nèi)廠商在這塊差距仍然較大。從半導(dǎo)體主要制造設(shè)備看來(lái),光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、化學(xué)氣相沉積(CVD)市場(chǎng)都為國(guó)外廠商占據(jù)。同時(shí),也說(shuō)明中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)存在巨大替代空間,且由于需求驅(qū)動(dòng),主要設(shè)備后續(xù)需求有望持續(xù),維持良好增長(zhǎng)勢(shì)頭。
   繼三星發(fā)布了UFS2.0高速儲(chǔ)存卡之后,美光日前發(fā)布了全球首個(gè)手機(jī)3D閃存。閃存科技快速發(fā)展折射出當(dāng)前對(duì)于高科技芯片的廣闊需求。今年以來(lái),由于下游需求旺盛,半導(dǎo)體設(shè)備訂單密集增加。當(dāng)前半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國(guó)產(chǎn)化程度不斷提升,龍頭企業(yè)受益半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大機(jī)遇,值得投資者關(guān)注。

  美光發(fā)布手機(jī)3D閃存

  日前,在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì)(FlashMemorySummit)上,美光公布了首款3DNAND閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲(chǔ)存空間。據(jù)報(bào)道,這款3D閃存芯片與傳統(tǒng)的2DNAND水平排布儲(chǔ)存單元不同,3DNAND使用垂直的方式排布儲(chǔ)存單元,這種排布方式不但可以增加閃存的容量,又能讓芯片與處理器通訊變快。單個(gè)容量為32GB,采用全新UFS2.1標(biāo)準(zhǔn),讀取速度達(dá)到1.5GB/s,寫(xiě)入接近500MB/s,是目前UFS2.0的2倍。未來(lái)中高端手機(jī)上將會(huì)采用這種3D閃存芯片,對(duì)手機(jī)市場(chǎng)來(lái)說(shuō)又是一波新的換機(jī)潮,畢竟誰(shuí)都想要速度更快,儲(chǔ)存容量更大的手機(jī)。

  其實(shí)閃存科技快速發(fā)展折射出當(dāng)前對(duì)于高科技芯片的廣闊需求,這也是今年半導(dǎo)體市場(chǎng)的縮影。今年以來(lái),由于下游需求旺盛,半導(dǎo)體設(shè)備訂單密集增加,預(yù)計(jì)全年將取得出色成績(jī)。另外,半導(dǎo)體設(shè)備主要集中在制造和封測(cè)端,晶圓制造設(shè)備依舊是半導(dǎo)體設(shè)備中占絕對(duì)地位的設(shè)備,在2015年晶圓制造設(shè)備銷售額達(dá)到約286.7億美元,占比達(dá)到78.74%.中國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備增長(zhǎng)迅速,目前已經(jīng)達(dá)到全球增速最快的市場(chǎng),且下游需求良好,前景可期。

  國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備替代空間廣闊

  2015年,前五大供應(yīng)商占市場(chǎng)份額的76.8%,前十大供應(yīng)商占據(jù)了93.6%的市場(chǎng)份額,市場(chǎng)集中度高。值得注意的是,十大廠商中多數(shù)為美國(guó)和日本企業(yè),國(guó)內(nèi)廠商在這塊差距仍然較大。從半導(dǎo)體主要制造設(shè)備看來(lái),光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、化學(xué)氣相沉積(CVD)市場(chǎng)都為國(guó)外廠商占據(jù)。同時(shí),也說(shuō)明中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)存在巨大替代空間,且由于需求驅(qū)動(dòng),主要設(shè)備后續(xù)需求有望持續(xù),維持良好增長(zhǎng)勢(shì)頭。

  招商證券指出,當(dāng)前大陸半導(dǎo)體設(shè)備和材料的需求大幅增長(zhǎng),大陸半導(dǎo)體進(jìn)入生產(chǎn)線密集建設(shè)期,目前在建或計(jì)劃建設(shè)的半導(dǎo)體晶圓投資項(xiàng)目總額已達(dá)800億美元,將需求約600億美元的設(shè)備,而材料的需求也隨之增加。預(yù)計(jì)2020年,大陸半導(dǎo)體設(shè)備和材料年需求規(guī)模將超過(guò)200億美元。

  在需求上行的推動(dòng)下,預(yù)計(jì)晶圓設(shè)備市場(chǎng)有望開(kāi)始恢復(fù)成長(zhǎng)趨勢(shì),設(shè)備產(chǎn)能利用率也有望逐步回升,前期的高庫(kù)存也將有望顯著降低。此外,在國(guó)家半導(dǎo)體扶持政策推動(dòng)下,國(guó)內(nèi)有望實(shí)現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。近幾年國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè)已取得長(zhǎng)足進(jìn)步,逐步實(shí)現(xiàn)從低端向高端替代??涛g機(jī)、PVD、先進(jìn)封裝光刻機(jī)等設(shè)備,靶材、電鍍液等材料,不僅滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的需求,還獲得國(guó)際一流客戶的認(rèn)可,遠(yuǎn)銷海外市場(chǎng)。半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國(guó)產(chǎn)化程度不斷提升,龍頭企業(yè)受益半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大機(jī)遇。
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