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三星超越臺積電、英特爾，搶頭香推10納米SRAM

精實新聞 2015-11-19 成為作者
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三星10奈米制程技術(shù)臺積電英特爾分類：新產(chǎn)品
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三星成功開發(fā)新世代SRAM，也代表其處理器制程工藝進(jìn)階至10奈米的過程相當(dāng)順利，估計有望在2017年初進(jìn)入全面量產(chǎn)，將使三星爭搶處理器代工訂單占得有利位置。
三星超臺積電、英特爾，搶頭香推10納米SRAM
　　三星周三宣布，獨立領(lǐng)先業(yè)界運用10奈米鰭式場效電晶體（FinFET）制程生產(chǎn)SRAM（靜態(tài)隨機存取記憶體），意謂著三星10奈米制程技術(shù)或許已經(jīng)超越臺積電（2330），甚至連晶片龍頭英特爾（Intel）都被三星超車。

　　SRAM速度比DRAM快，常被當(dāng)作中央處理器（CPU）的快取記憶體，藉以提高CPU存取效率。臺積電與英特爾在SRAM制程技術(shù)上目前還分別停留在16與14奈米。

　　三星成功開發(fā)新世代SRAM，也代表其處理器制程工藝進(jìn)階至10奈米的過程相當(dāng)順利，估計有望在2017年初進(jìn)入全面量產(chǎn)，將使三星爭搶處理器代工訂單占得有利位置。（ETnews.com）

　　與14奈米SRAM相比，10奈米可將128MB記憶體單位儲存面積縮小37.5%，配合10奈米打造的處理器，不僅運算效能加快且占用空間更小。三星希望明年底將10奈米完成商業(yè)化。

　　另外，三星還同時將平面NAND快閃記憶體制程技術(shù)從16奈米推進(jìn)至14奈米，將可降低生產(chǎn)成本、改善營利率。東芝、美光目前還停留在15-16奈米制程階段，并認(rèn)為這是平面NAND記憶體工藝的極致，之后將朝3D堆疊發(fā)展。不過在三星做出突破后，或許平面NAND還有進(jìn)一步延展的可能。 
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