自從高通開始采用ARM公版架構(gòu)以來，大名鼎鼎的驍龍?zhí)幚砥鳟a(chǎn)品線就變得愈加復(fù)雜了起來。就拿剛剛發(fā)布的HTCOneA9上那顆驍龍617來講，有很多小伙伴不明白它和驍龍615到底有什么區(qū)別，所以筆者接下來就為大家比較一下驍龍615、驍龍616與驍龍617這三款芯片。
其實驍龍617是今年9月份隨著高通QuickCarge3.0標(biāo)準(zhǔn)一同發(fā)布的新產(chǎn)品，架構(gòu)與配置都與之前的驍龍616/615有了很大變化。
我們可以看到，驍龍616基本上就是驍龍615的一個小改版。但驍龍617卻棄用了驍龍616/615的「4核+4核架構(gòu)」，轉(zhuǎn)而采用平行的八核架構(gòu)，這也就是為什么高通開始稱其為真八核的原因所在。
除CPU架構(gòu)有了大改以外，驍龍617在多個細節(jié)處也相對前兩款有了大幅提升。
X8LTE基帶芯片
從驍龍620發(fā)布開始，高通就開始放棄在基帶芯片上采用MSM9x2x這種復(fù)雜的命名方式，而是將其根據(jù)性能劃分為X5、X7、X8等多個品牌。其中驍龍617上搭載的就是X8LTE基帶芯片。
與驍龍616上的X5LTE相比，X8LTE因為支持X5LTE芯片所沒有的雙向2x20MHz載波聚合功能，所以其上下行傳輸速度能達到X5LTE的一倍之多。
高通QucikCharge3.0
驍龍617搭載的QucikCharge3.0是高通快速充電技術(shù)的第三代產(chǎn)品。相比前代，QuickCharge3.0應(yīng)用了高通最新研發(fā)的「最佳電壓智能協(xié)商算法」（IntelligentNegotiationforOptimumVoltage），該算法可以在手機連接充電器時自動判斷最佳充電功率，從而最大化能源效率。
對比QC2.0時代充電直接從5V跳到9V的做法，QC3.0現(xiàn)在會以200mV為一個漸進的單位慢慢提升電壓。這也就是說一開始充電時電壓并不高，這種智能升壓的方法不僅能夠縮短充電時間（充電功率連續(xù)增加），還能夠有效降低充電過程中的熱能損耗，從而提高充電效率。據(jù)高通介紹，QC3.0的充電速度較QC2.0最高提升了27%，還可以降低最多45%的充電損耗，可說是非常厲害的技術(shù)了。
Hexagon546數(shù)字信號處理器
數(shù)字信號處理器（DSP）是一類專門設(shè)計來處理數(shù)字信號的特殊處理器。雖然DSP在通用計算方面沒有CPU的功能全，但是在進行一些特殊的運算（譬如音頻信號的采集與解碼）時速度要快得多，而且功耗能降得非常低。因此，目前絕大部分手機SoC中都會集成DSP芯片。
驍龍617上的Hexagon546數(shù)字信號處理器，相比驍龍616/615上的HexagonV50支持更低功耗的傳感器，這能夠有效提升手機續(xù)航能力。另外，Hexagon546也具備更加優(yōu)異的音頻解碼性能，這對于音頻愛好者來講會是個好消息。
eMMC5.1/雙通道內(nèi)存
最后，驍龍617在存儲與內(nèi)存方面也有了新的升級，其中eMMC5.1標(biāo)準(zhǔn)與雙通道內(nèi)存技術(shù)是我們值得留意的。
簡單來講eMMC就是手機內(nèi)存的一個接口標(biāo)準(zhǔn)，這個標(biāo)準(zhǔn)越高，能夠允許手機內(nèi)存發(fā)揮出的I/O性能也就越強。而eMMC5.1相對于eMMC4.5來講也是一個巨大的跨越，其理論傳輸帶寬達到了600MB/s，而eMMC4.5只有僅僅只有200MB/s左右。另外，驍龍617還支持了更高頻率內(nèi)存以及雙通道技術(shù)，理論上能讓內(nèi)存性能更強一些，但由于目前內(nèi)存的性能已經(jīng)足夠使用，所以其優(yōu)勢并沒有太大的體現(xiàn)。
總結(jié)
相較于驍龍615/616，驍龍617在CPU架構(gòu)、基帶、DSP、快充技術(shù)、I/O標(biāo)準(zhǔn)等地方都進行了大幅提升。所以作為高通2015年攻占中端SoC市場的主要產(chǎn)品，驍龍617的實際體驗也未必輸給像驍龍810這樣的旗艦產(chǎn)品。
01月07日 18:14
