與NAND閃存價格由漲轉(zhuǎn)跌不同，2018年內(nèi)存芯片價格依然居高不下，不同的是今年Q1、Q2季度內(nèi)存價格漲幅有所下降，漲價幅度只有5%左右，而Q3、Q4季度內(nèi)存價格普遍被看跌，主要是因為市場需求不足，尤其是是智能手機旺季不旺，而最近因為英特爾14nm產(chǎn)能不足導致PC市場需求雪上加霜，集邦科技認為Q4季度內(nèi)存及閃存價格要比預期降價更多。
對于內(nèi)存芯片需求不足可能導致內(nèi)存降價的消息，三星主管存儲芯片、代工等業(yè)務(wù)的CEO金奇男表示今年底內(nèi)存需求沒什么重大變化，2019年內(nèi)存芯片需求還會繼續(xù)強勢，從側(cè)面否認了內(nèi)存芯片降價的可能。
韓國媒體報道稱，三星電子副總裁設(shè)備解決方案部門CEO金奇男日前出席公司活動時接受了記者采訪，被問到內(nèi)存芯片需求下降的問題，他表示“至少今年Q4季度之前，內(nèi)存芯片市場需求不會有什么重大變化。”
那么2019年的內(nèi)存市場的強勁需求是否會結(jié)束呢？金奇男預測明年的內(nèi)存市場需求依然會很強勁。
三星電子今年Q2季度芯片業(yè)務(wù)運營利潤達到了102億美元，同比增長了44%。
在三星否認內(nèi)存需求下降的同時，高盛銀行及Stifel Nicolaus等投行紛紛警告內(nèi)存芯片市場將會惡化到2019年，認為DRAM內(nèi)存及NAND閃存內(nèi)存基本面成長疲軟，此舉導致美光股價連續(xù)下跌，本周內(nèi)股價下跌了12%。
為了應(yīng)對內(nèi)存及閃存芯片降價，之前Digitimes援引業(yè)內(nèi)人士的消息稱三星、SK Hynix都打算推遲產(chǎn)能擴容計劃，三星據(jù)傳暫停在了韓國華城和平澤工廠為1ynm工藝的DRAM芯片增加新的產(chǎn)能的計劃，原本三星計劃在Q3季度增加每月3萬片晶圓的產(chǎn)能。
01月07日 18:14
