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三星量產(chǎn)第五代3D V-NAND閃存：96層堆疊 提速40％

快科技 2018-07-10 成為作者
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三星電子閃存顆粒分類：行業(yè)資訊
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三星第五代V-NAND采用96層堆疊設(shè)計(jì)，是目前行業(yè)紀(jì)錄，內(nèi)部集成了超過850億個3D TLC CTF閃存存儲單元，每單元可保存3比特?cái)?shù)據(jù)，單Die容量達(dá)256Gb(32GB)。
 　　三星電子宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)第五代V-NAND 3D堆疊閃存，同時擁有超大容量和超高速度。三星第五代V-NAND采用96層堆疊設(shè)計(jì)，是目前行業(yè)紀(jì)錄，內(nèi)部集成了超過850億個3D TLC CTF閃存存儲單元，每單元可保存3比特?cái)?shù)據(jù)，單Die容量達(dá)256Gb(32GB)。
　　
　　這些單元以金字塔結(jié)構(gòu)堆積，并在每一層之間貫穿極微小的垂直通道孔洞，尺度僅有幾百微米寬。
三星量產(chǎn)第五代3D V-NAND閃存：96層堆疊 提速40％
　　
　　它還業(yè)內(nèi)首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面，在存儲與內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)傳輸率高達(dá)1.4Gbps，比上代64層堆疊提升了40％，同時電壓從1.8V降至1.2V，能效大大提高。
　　
　　數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應(yīng)時間也大幅縮短到50微秒。
　　
　　三星還透露，正在開發(fā)1Tb(128GB)容量的QLC V-NAND閃存顆粒。
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