三星不愿在7nm上使用DUV（深紫外）的過(guò)渡工藝，而是直接切入EUV，所以風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)今年底才能開(kāi)始，量產(chǎn)最快也要明年下旬了。不過(guò)，臺(tái)積電和GF則思路有所不同，準(zhǔn)備先用第一版7nm吸引客戶(hù)，隨后再導(dǎo)入EUV（極紫外光刻）。據(jù)Digitimes報(bào)道，21日臺(tái)積電舉辦了技術(shù)研討會(huì)。
2018 年 6 月照片（來(lái)源：DigiTimes / Michael Lee 攝）
CEO魏哲家駁斥了對(duì)臺(tái)積電7nm良率提升緩慢的傳言，他表示，可商用的7nm芯片生產(chǎn)已經(jīng)啟動(dòng)，同時(shí)，在2019年底或者2020年初，5nm也會(huì)投入量產(chǎn)。
魏哲家介紹，三季度，導(dǎo)入EUV的增強(qiáng)版7nm將試產(chǎn)，今年底前，臺(tái)積電將流片超過(guò)50款7nm芯片，用于AI、GPU和加密貨幣領(lǐng)域的居多，隨后是5G基帶和應(yīng)用處理器（AP）。
魏哲家還預(yù)判，由于7nm的產(chǎn)出，2018年，臺(tái)積電的12寸晶圓的總產(chǎn)能將達(dá)到120萬(wàn)片，比2017年的105萬(wàn)提升9%。
會(huì)上還提到，5nm和未來(lái)的3nm都將在臺(tái)積電的新12寸晶圓廠（Fab 18）中率先流片，F(xiàn)ab 18坐落于臺(tái)灣南部的科學(xué)園區(qū)，是臺(tái)積電的第四座12寸晶圓廠。
當(dāng)然，對(duì)于很多關(guān)注半導(dǎo)體和臺(tái)積電的朋友來(lái)說(shuō)，最想知道的還是今明兩年的哪些芯片會(huì)由其7nm代工。報(bào)道援引消息人士提供的資料，新iPhone的A12芯片依然占據(jù)臺(tái)積電7nm產(chǎn)能的大頭，此外還有AMD的Vega顯卡、聯(lián)發(fā)科M70 5G基帶、NVIDIA以及高通的產(chǎn)品。
01月07日 18:14
