根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，2017年NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求受到智能手機搭載容量與服務(wù)器需求的帶動，加上供給面受到制程轉(zhuǎn)進進度不如預期的影響下，供不應求的狀況自2016年第三季起已持續(xù)六個季度；展望2018年，NAND Flash供給將增加42.9%，需求端將成長37.7%，明年整體供需狀況將轉(zhuǎn)為供需平衡。
DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，從NAND Flash的供給面來看，因為NAND制程從2D轉(zhuǎn)進3D不如預期，導致2017年非三星陣營的新增產(chǎn)能沒有百分之百完善利用，再加上轉(zhuǎn)換期間所帶來的產(chǎn)能損失，讓2017年市場呈現(xiàn)整體供不應求的狀態(tài)，2018年隨著非三星陣營供貨商在64/72層3D-NAND制程成熟后，整體NAND Flash產(chǎn)業(yè)供給量年成長率預估將達42.9%。
反觀2018年需求面狀況，在第一季淡季影響下，智能手機、PC、平板電腦等出貨量預期都將比2017年第四季來得明顯下滑，NAND Flash市場將由供不應求轉(zhuǎn)為供過于求。而綜合2018年全年度供給與需求面狀況，NAND Flash市場供需將趨于平衡。
2018年全球3D-NAND產(chǎn)出占比逾七成，三星技術(shù)與規(guī)模領(lǐng)先群雄
2017年在非三星陣營3D-NAND制程轉(zhuǎn)換不順的影響下，3D-NAND產(chǎn)出占NAND Flash整體產(chǎn)業(yè)比重約50%，2018年隨著SK海力士、東芝/西數(shù)、美光/英特爾陣營的3D-NAND比重都將提升的情況下，2018年3D-NAND的產(chǎn)出占比將突破70%大關(guān)。
從各廠制程進度來看，三星64層3D-NAND自今年第三季已經(jīng)開始進入量產(chǎn)階段且今年第四季3D產(chǎn)能比重將突破50%，明年將提升到60-70%水平。SK海力士今年第四季3D-NAND產(chǎn)能占比約為總產(chǎn)能的20-30%水平，以48層3D-NAND為主，但明年將會專注于擴充72層3D-NAND產(chǎn)能，3D-NAND產(chǎn)能比重在2018年第四季也會來到40-50%。
東芝/西數(shù)陣營今年上半年主流制程為48層3D-NAND，預期今年第四季3D-NAND的占比將會占東芝/西數(shù)陣營整體產(chǎn)能約30%水平，2018年第四季目標突破50%。在產(chǎn)能規(guī)劃上，新的半導體廠房Fab6在2017年3月已開始動工興建，預計在2019年才會開始量產(chǎn)最新的3D-NAND產(chǎn)品。值得注意的是，由于東芝與西數(shù)目前對于新廠的合作態(tài)度與先前有所不同，所以日后可能仍有變數(shù)存在。
美光/英特爾陣營今年上半年32層3D-NAND的產(chǎn)出已有穩(wěn)定的經(jīng)濟規(guī)模，并在今年第三季度起已開始量產(chǎn)64層3D-NAND，目前良率已達量產(chǎn)水平，今年第四季3D-NAND產(chǎn)能比重有機會來到40-50%。2018年隨著英特爾將擴充中國大連廠第二期產(chǎn)能，其3D-NAND比重將于明年第四季提升到60-70%水平。
01月07日 18:14
