自主芯片的研發(fā)，已經(jīng)上升到國家的高度，在這個領(lǐng)域?qū)で蟾蟮耐黄坪桶l(fā)展，是國內(nèi)科研人員目前集體努力的方向。
在昨天舉行的“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”活動上，集成電路專項技術(shù)總師葉甜春對外表示，國產(chǎn)14nm工藝已經(jīng)攻克難關(guān)，將在明年投入量產(chǎn)。
葉甜春強調(diào)，通過2萬科技工作者9年的艱苦攻關(guān)，終于研制成功14nm刻蝕機、薄膜沉積等30多種高端裝備和靶材、拋光液等上百種材料產(chǎn)品，性能達到國際先進水平，通過了大生產(chǎn)線的嚴格考核，開始批量應用并出口到海外，實現(xiàn)了從無到有的突破，填補了產(chǎn)業(yè)鏈空白。同時，制造工藝與封裝集成由弱漸強，技術(shù)水平飛速跨越，國際競爭力大幅提升。
此外，葉甜春還給出了接下來國產(chǎn)芯片的發(fā)展規(guī)劃，“十三五”將重點支持7-5nm工藝和三維存儲器等國際先進技術(shù)的研發(fā)。
之前產(chǎn)業(yè)鏈給出的消息稱，中芯國際已經(jīng)開始啟動7nm工藝制程研發(fā)，并與北方華創(chuàng)、中微建立了長期合作關(guān)系。目前，三星、TSMC及Intel已經(jīng)完成了7nm工藝研發(fā)，準備在2018年后量產(chǎn)。
01月07日 18:14
