據(jù)韓國電子新聞5月1日報(bào)道，韓國三星電子計(jì)劃投資近3萬億韓元(約合人民幣183億元)，擴(kuò)充位于京畿道華城工廠17線DRAM產(chǎn)能。若投資完成，華城工廠將再沒有多余空間，三星計(jì)劃在17線生產(chǎn)增產(chǎn)DRAM、3D NAND閃存以及系統(tǒng)半導(dǎo)體。
業(yè)界相關(guān)消息稱，三星電子最近向設(shè)備合作企業(yè)通報(bào)擬投資擴(kuò)建17線，并在3月向部分企業(yè)下單。有推測認(rèn)為，投資規(guī)模約為月產(chǎn)35000張300mm硅晶圓，以投資金額計(jì)約為2.5-3萬億韓元。三星將在此生產(chǎn)10納米DRAM，預(yù)計(jì)訂貨、設(shè)備生產(chǎn)等一系列步驟將在2017年年末或2018年年初完成，2017年下半年即可開始初步生產(chǎn)。
報(bào)道稱，由于華城工廠11線今后將專門用于生產(chǎn)CMOS和CIS等，三星為彌補(bǔ)產(chǎn)能損失，決定擴(kuò)建17線。此前，11線在生產(chǎn)圖像傳感器的同時(shí)，有部分空間用來生產(chǎn)DRAM。
華城工廠分為4部分，內(nèi)部名稱也有所不同，17線用來生產(chǎn)DRAM，16-2線用于生產(chǎn)3D NAND閃存而S3線用來生產(chǎn)10納米系統(tǒng)大規(guī)模集成電路。
業(yè)界相關(guān)人士稱，半導(dǎo)體行業(yè)投資以月為單位變化，競爭激烈，本次投資是為彌補(bǔ)11線用途轉(zhuǎn)變導(dǎo)致的產(chǎn)能不足和制程微縮損失，對DRAM供求基本沒有影響。
報(bào)道稱，三星還計(jì)劃在17線旁另建新廠，用來生產(chǎn)7納米系統(tǒng)半導(dǎo)體。
01月07日 18:14
