近日，西安變電廠爆炸造成當(dāng)?shù)?a target="_blank">三星晶圓廠、美光及力成封測(cè)廠出現(xiàn)電力閃斷及電功下降，預(yù)期將對(duì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)供給造成影響，存儲(chǔ)器業(yè)界20日均以“西安事變”來形容此次跳電危機(jī)，而包括DRAM及NANDFlash報(bào)價(jià)也出現(xiàn)難得一見的全面上漲行情。
三星、美光、力成等業(yè)者昨日指出，對(duì)后續(xù)供貨情況不會(huì)有太大影響。但存儲(chǔ)器業(yè)界人士表示，半導(dǎo)體業(yè)界在過去10年當(dāng)中，有關(guān)存儲(chǔ)器晶圓廠或封測(cè)廠發(fā)生電力閃斷的事件后，都出現(xiàn)供貨吃緊問題，因?yàn)榘雽?dǎo)體設(shè)備機(jī)臺(tái)跟電腦一樣，電力閃斷就好像插頭拔起幾秒再插回一樣，設(shè)備就會(huì)當(dāng)機(jī)或參數(shù)跑掉，至少也要1～2周時(shí)間才有辦法回復(fù)原本正常運(yùn)作。
所以，通路商預(yù)期后續(xù)DRAM及NANDFlash供貨可能吃緊，昨日均開始提高庫(kù)存水位，根據(jù)臺(tái)灣、香港、深圳三地的昨日現(xiàn)貨報(bào)價(jià)，NAND隨身碟及存儲(chǔ)卡價(jià)格漲幅最大，32GB/64GBUSB3.0隨身碟公板價(jià)格漲幅達(dá)5～10％，16GB/32GBMicroSD卡價(jià)格漲幅達(dá)3～5％，32GB/64GBMLC規(guī)格NANDFlash芯片漲幅達(dá)1～3％。在DRAM部分，深圳地區(qū)DRAM模組平均漲幅達(dá)3～5％左右，DDR3顆粒價(jià)格則出現(xiàn)1％左右漲幅。
集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange則表示，第3季NANDFlash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)愈發(fā)明顯，TLC規(guī)格晶圓與存儲(chǔ)卡價(jià)格自4月初以來已連續(xù)3個(gè)月份逐步走揚(yáng)，由于時(shí)間上已進(jìn)入智慧型手機(jī)備貨旺季，三星西安廠短暫跳電導(dǎo)致供不應(yīng)求預(yù)期心理，將導(dǎo)致第3季NANDFlash市況火熱。
DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，NANDFlash原廠持續(xù)降低對(duì)于通路的供貨比重，來滿足eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟（SSD）的需求，并同時(shí)積極轉(zhuǎn)進(jìn)3DNAND，讓2DNAND的產(chǎn)出持續(xù)下滑，因此現(xiàn)貨與通路市場(chǎng)的貨源更顯緊縮。DRAMeXchange預(yù)估2016年第3季的TLC晶圓及存儲(chǔ)卡現(xiàn)貨等價(jià)格將持續(xù)調(diào)漲，第4季的NANDFlash的市況將視蘋果新一代iPhone與其他品牌智慧型手機(jī)新品上市后的銷售力道而定。
集邦指出，西安18日變電站爆炸，使三星西安廠短暫停電數(shù)秒，在工程師搶修設(shè)備，并快速進(jìn)行線上晶圓損害清查后，目前部分產(chǎn)能已恢復(fù)生產(chǎn)。楊文得指出，依照事發(fā)當(dāng)日部分產(chǎn)能已能恢復(fù)生產(chǎn)的進(jìn)度來看，此次停電對(duì)三星NANDFlash的產(chǎn)出影響有限，預(yù)估當(dāng)日其線上受損晶圓（Wafer-In-Process）片數(shù)約略在1萬片以內(nèi)，此缺口透過增加投片及縮短部分制程可以彌補(bǔ)，但此事件恐將加深第3季NANDFlash供不應(yīng)求的預(yù)期性心理。
01月07日 18:14
